您现在所在位置：首页 > 资讯中心 > 行业要闻
武汉大学林乾乾教授联合上海光机所齐红基研究员团队：基于宽带隙Ga₂O₃单晶/有机异质结的高性能X射线探测器
本研究采用有机介质层异质结策略，系统性地考察了无意掺杂及 Fe 掺杂 β-Ga2O3 单晶片在 X 射线探测中的应用。
2025-12-11 19:54:17
西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授、冯倩教授团队：通过金属有机化学气相沉积法制备高质量异质外延Ga₂O₃薄膜
综合表征表明，衬底类型与生长温度均显著影响薄膜的晶体质量、表面形貌、化学成分及缺陷结构。
2025-12-11 19:41:11
Nat Commun丨中科院半导体研究所张兴旺研究员联合北京工业大学孟军华副教授团队：β-Ga₂O₃在室温下的单光子发射
本文首次实现了 β-Ga2O3 在室温下的光稳定单光子发射。
2025-12-11 19:26:37
APL丨中国科学技术大学龙世兵教授团队：2.8 kV β-Ga₂O₃肖特基整流器的改进型复合JTE技术增强了对界面电荷的容忍度
研究团队成功制备了高性能 β-Ga2O3 肖特基二极管，其高介电常数 BaTiO3 介质增强了JTE的效率，展现出对正负界面电荷的宽容度。
2025-12-11 18:42:25
AM丨山大刘鹏、穆文祥、韩心晴联合港城大：电子激发诱导的β-Ga₂O₃亚稳相转化与自组织机制研究：β至κ/γ/δ相的演化
通过非弹性热尖峰（i-TS）计算以及分子动力学模拟揭示的 β-Ga2O3 → κ/γ/δ 转变机制表明，辐照诱导的缺陷调控会产生非线性光响应行为，对光电器件工程至关重要。
2025-12-11 18:10:08
复旦大学马宏平教授团队Nat Commun发表：通过在Ga₂O₃与SiC之间构建共价键来提升界面热导率
本研究通过设计中间层在 Ga2O3 与 SiC 间构建强共价键，实现了结构兼容性与高效声子传输的双重突破。
2025-12-04 11:47:10
