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APL | 武汉大学张召富教授团队：氧化镓/金刚石异质结界面的理论研究：晶面选择、能带对齐与界面相互作用
理论研究系统揭示了不同表面和终端条件下β-Ga2O3/金刚石异质结的界面性质。表明，通过选择不同的晶面组合，可以动态调节价带台阶近1 eV；而施加氢终端可进一步将价带台阶增大1.11-1.88 eV。
2026-04-23 10:25:30
西电郝跃院士、韩根全教授联合中科院半导体所郑军副研究员团队：蓝宝石基β-Ga₂O₃双模式MOSFET实现 4.1/3.5kV击穿电压
团队采用低损伤 Si⁺离子注入结合退火工艺提升材料导电性，基于凹槽沟道结构制备了耗尽型（D-mode）与增强型（E-mode）β-Ga₂O₃ MOSFET。
2026-04-23 10:27:17
浙江大学杨德仁院士研究团队：氟对硅基铒掺杂氧化镓薄膜及器件的光电性能与晶体场对称性的影响
已成功制备出氟共掺杂硅基铒掺杂氧化镓发光器件。通过氟的共掺杂，器件的导电性与击穿场增强，使最大输入功率得以提升，输出强度增强至 5.6 µW/cm2。
2026-04-23 10:11:27
Carbon丨甬江实验室/中科院宁波材料所张文瑞研究员&郑州大学团队：超宽禁带金刚石/ε-Ga₂O₃ pn 异质结用于自供电日盲紫外探测及高温运行
本文展示了一种基于 p 型金刚石/n 型 ε-Ga2O3 异质结二极管的自供电 SBPD。暗电流低至 23 fA，光暗电流比 (PDCR) 高达 106 以上，响应度达 384 mA/W...
2026-04-23 10:04:30
CGD丨西安工程大学&西电郝跃院士、马晓华教授团队：晶圆级纳米多孔GaN基N掺杂β-Ga₂O₃日盲光探测器的制备与特性研究
通过电化学蚀刻和脉冲激光沉积技术，制备了基于氮掺杂 β-Ga2O3 的晶圆级纳米多孔 GaN 基日盲光探测器（NP-GaN/N-Ga2O3）。
2026-04-23 09:53:38
上海电机学院王相虎教授团队：基于 β-Ga₂O₃ 的日盲紫外光探测器异质结工程的最新进展
基于材料-器件协同优化框架，本综述系统总结了 β-Ga2O3 异质结 SBUV 光电探测器的最新研究进展，重点关注了从材料属性调制、异质结界面工程和器件结构设计三个维度进行性能优化的策略。
2026-04-09 19:13:48
