万德思诺集团秉持"技领先端，镓通天下"的理念，始终坚持为宽禁带半导体行业客户提供国际上最先端的材料、装备和技术工艺。
作为国内最早布局和销售第四代半导体(氧化镓)相关材料和装备的企业，通过持续整合行业技术及资源，为客户提供"材料+装备+工艺"的整体解决方案。
公司通过技术引进与自主研发相结合，深度合作国内顶尖高校、科研院所的产研资源，联合行业龙头企业协同攻坚，精准打通产业化关键节点，构建氧化镓产业化生态，全力推动氧化镓材料从实验室走向规模化应用。
产研协同
联合顶尖科研与产业力量，深耕核心技术突破
垂直专精
垂直聚焦氧化镓行业，打造产业化生态闭环
技术引领
国内率先布局第四代半导体(氧化镓)领域，掌握国际尖端技术资源
全维赋能
提供“材料+装备+工艺”整体解决方案，全周期专业保障
Novel Crystal Technology 仓又朗人社长团队：垂直布里奇曼法生长 2 英寸 n 型 β-Ga₂O₃ (011) 单晶
研究采用垂直布里奇曼法，生长方向垂直 (011) 晶面，成功制备出直径 2 英寸有效长度约 60 mm 的 n 型 β-Ga₂O₃ (011) 单晶，加工得到 2 英寸 β-Ga₂O₃ (011）衬底
2026-11-10 14:43:52
APL丨南京大学叶建东教授等人团队利用氮梯度工程协同调控沟道与电场，β-Ga₂O₃垂直晶体管实现1310 V耐压
通过引入垂直分布的电荷补偿，多步氮分级电流阻挡层（CBL）同时优化了沟道静电特性和高压电场分布。这种分级分布增强了亚表面沟道耗尽，抑制了并联导电，并将峰值电场从栅极边缘重新分布到埋入的 CBL。
2026-11-10 14:43:52
当带隙突破 7 eV：《Nature》报道氧化镓相关合金实现有效掺杂与晶体管调控
本文报道了通过亚氧化物分子束外延技术生长的硅掺杂 α-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃ 薄膜，其带隙超过 7.0 电子伏特，这些 α-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃ 薄膜和器件使用蓝宝石作为基底。
2026-11-10 14:43:49
Nano Research丨东南大学徐涛教授团队：Ga₂O₃/BaTiO₃异质结中光伏-热释电协同耦合用于高灵敏度日盲紫外光电探测
研究构建了一种Ga₂O₃/BaTiO₃（BTO）异质结光电探测器，通过光伏效应与热释电效应的协同耦合，实现了对瞬态光学事件的高灵敏、自供能探测。
2026-11-10 14:43:45
大尺寸衬底到科研型小尺寸外延片齐亮相｜万德思诺携全链路产品参展第二届氧化镓技术与产业研讨会
NCT携全系列氧化镓核心材料与器件产品亮相第二届氧化镓技术与产业研讨会。
2026-11-10 17:05:25
CNAS+CMA 双认证｜万德思诺半导体材料检测业务正式上线！
针对行业送检痛点，打通「材料供应— 精准性能检测— 高端设备配套」全链条服务闭环，万德思诺推出半导体材料检测业务，现面向全国高校、半导体相关企业开放合作。
2026-09-15 16:02:00
同心七载，未来可期 —— 万德思诺集团举办七周年司庆活动
5月17日，万德思诺集团举行七周年司庆活动，全体员工共同庆祝集团七年来的发展与成就，回顾奋斗历程，展望发展新篇。
2026-05-20 18:48:37
聚焦第四代半导体·共筑产业新生态｜万德思诺携NCT 6英寸氧化镓衬底亮相德阳半导体大会
2026年4月15日-17日，万德思诺携全球首发6英寸氧化镓衬底亮相德阳半导体新材料大会。
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