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ACS Nano丨东北师大刘益春院士、马剑钢教授：通过缺陷钝化提升Ga₂O₃薄膜晶体管性能实现日盲紫外线传感器的储备池计算
演示了基于 Ga2O3 TFT 的日盲紫外线传感器内置的蓄积式计算系统，该系统在 40 % 噪声环境下仍能实现超过 91.8 % 的指纹图像识别准确率。
2025-12-30 18:26:05
基于N掺杂Ga₂O₃纳米线网络的高性能日盲光电突触器件用于类脑计算
本工作通过调控氧空位，构建了一种基于氮掺杂 Ga2O3 纳米线网络的高性能日盲光电突触器件。
2025-12-30 18:09:38
氧化镓衬底成本直降90%！DG法颠覆长晶方法：NCT&NEDO引领行业变革！
日本株式会社 Novel Crystal Technology成功开发出一种不使用贵金属坩埚的晶体生长方法——Drop-fed Growth（DG）法。
2025-12-25 14:27:34
SCIS丨西安邮电大学陈海峰等团队： 32 × 32 β-Ga₂O₃ MOS日盲紫外探测器阵列及性能
Ga2O3 具有 4.5-5.3 eV 的超宽禁带宽度，是理想的日盲紫外线（SUV）探测材料。
2025-12-25 14:27:34
APL丨大连理工大学梁红伟教授、常玉春教授团队：基于β-Ga₂O₃/Si异质结的超高效率日盲紫外检测
为解决现有 Si 基光电探测器对 SBUV 信号响应不足的问题，本研究将多晶 β-Ga2O3 薄膜沉积于商用 n 型Si衬底上，制备出高电子迁移率光电探测器（HEMPD）。
2025-12-25 14:21:22
Cell子刊 │ 哈工大深圳孙华锐团队解开了肖特基界面势垒迷雾：多模热成像校准电压和温度依赖的肖特基势垒高度及非均匀性
通过多模态热成像校准框架，揭示了温度诱导的肖特基势垒增加和不均匀性加剧，而电压则缓解了这两者。
2025-12-25 14:11:29
