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松山湖材料实验室梅增霞研究员团队---基于Ga₂O₃/GaN梯度异质结的高性能紫外光探测器
由于带隙和能带差异适宜，氧化镓（Ga2O3）/GaN 异质结构是制造高性能 UV PD 的理想材料。
2025-07-11 11:41:12
FLOSFIA 实现全球首例突破，成功攻克氧化镓 p 型层技术难题
FLOSFIA 进一步挑战技术难度更高的 MOSFET 结构的 p 层应用，通过高度改良自有技术，开发出新型 MOS 结构形成工艺，并成功将其集成到器件中。
2025-07-08 17:16:56
南方科技大学于洪宇教授、汪青教授团队---2.86 kV阶梯状双层结构的垂直型Cu₂O/Ga₂O₃异质结二极管
TCAD 仿真结果表明，SDL 结构有效抑制了阳极边缘的峰值电场，并将其转移至器件内部，从而提升了器件耐压能力。
2025-07-08 17:03:00
西安理工大学＆西安电子科技大学---集成金刚石散热层的Ga₂O₃器件的精确散热分析
本研究采用 3D 有限元热分析，探讨 β-Ga2O3/金刚石冷却策略，考虑了 Ga2O3 和金刚石热导率的各向异性及其与厚度依赖性。
2025-07-08 16:56:37
厦门大学杨伟锋教授团队---通过调节β-Ga₂O₃微片中的氧空位实现高响应度日盲光电探测器
在本研究中，研究团队通过氧退火调控 β-Ga2O3 微片中的氧空位浓度，从而显著提升了金属-半导体-金属结构光电探测器的响应度。
2025-07-08 16:45:58
西电郝跃院士、张进成教授课题组---具有58 A浪涌电流和关断态应力研究的1.5 kV β-Ga₂O₃ 垂直SBD
本研究通过引入双场板和基于 N 离子注入的边缘终端（ET）来显著提高击穿电压（BV），从而推进了垂直、大面积（3×3 mm2）β-Ga2O3 肖特基势垒二极管（SBD）的发展。
2025-06-27 11:53:53
