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浙江大学联合浙大科创中心杨德仁院士的研究团队：铸造法 β-Ga₂O₃ (100) 面缺陷的电子特性：现象与机理
研究加深了对 β-Ga2O3 衬底中缺陷诱导电子行为的理解，阐明了其对电学特性的影响，并为优化晶体生长和提升功率器件性能提供了关键指导。
2025-09-26 10:07:53
【Nat. Commun.】高灵敏+快响应！东北师大马剑钢、徐海阳团队发表日盲光探测器突破
研究提出的能带偏移工程策略为开发太阳盲光探测器和成像技术开辟了新途径。
2025-09-17 17:44:35
材料顶刊AFM报道！Ga₂O₃/Al₂O₃间隔层抑制氧化诱导变异性，助力3D NAND混合沟道器件性能提升
本研究提出了一种新型 HC 结构，在 poly-Si 与 In-Ga-O（IGO）沟道之间引入超薄的 Ga2O3 或 Al2O3 间隔层。该界面层能够有效抑制多晶硅损耗及非均匀界面氧化的形成。
2025-09-17 17:46:52
日本NCT将亮相第五届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会（CSGO2025）
日本Novel Crystal Technology 将在第五届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会上分享公司在氧化镓晶体生长及器件应用方面的最新研发进展。
2025-09-18 09:27:18
