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世界首次氧化镓反型DI-MOS晶体管试制在开发氧化镓功率晶体管方面已经取得重大进展
浙大科创中心新技术路线制备2英寸氧化镓
随着应用需求的发展愈加明朗，未来对高功率器件的性能要求越来越高，这使得人们更深切地看到了氧化镓的优势和前景。
SiC 和 GaN 并不是终点，近年来日本对氧化镓(Ga2O3，后简称GaO，与Ga图：在电流和电压需求方面Si，SiC，GaN对照)的研究屡次取得进展，使这种第四代半导体的代表材料走入了人们的视野。
