核心技术
提供全球领先的宽禁带半导体领域关键材料和设备。
万德思诺集团立足于宽禁带半导体行业关键材料、制造设备及配件的销售和研发。通过技术引进和自主研发相结合,依托高校和科研单位的产研结合,联合行业龙头企业,打通产业化的关键节点,推动整个行业的稳步发展。万德思诺致力于推动和实现氧化镓材料及器件的全面实用化和产业化。为了实现这一目标,集团公司牵头发起成立“亚洲氧化镓联盟”,依托联盟平台的资源和优势,促进氧化镓业内同仁的技术交流和产业合作。通过不断吸收产业链各环节的参与者,推动氧化镓行业健康、快速的发展。
万德思诺集团秉承“引领尖端技术、服务行业客户”的理念,始终坚持为宽禁带半导体行业客户提供国际上尖端的材料、设备和技术工艺。作为国内最早布局和销售第四代半导体(氧化镓)相关材料和设备的企业,通过整合行业技术及资源,针对不同客户需求,提供“材料+设备+工艺”的整体解决方案。
万德思诺致力于成为宽禁带半导体行业设备及材料专业供应商 !
Wide-BandGap Semiconductor Industry Equipment and Material Professional Supplier!
核心技术
提供全球领先的宽禁带半导体领域关键材料和设备。
资源整合
深耕化合物集宽禁带半导体行业,提供全产业链的材料和设备解决方案。
一站式服务
提供详细的售前技术咨询服务,可安排免费的样品测试。多样化的交易方式,满足不同客户采购要求。提供设备的安装、保养、维修、升级等一站式服务。
专业团队
公司研发人员长期从业于半导体行业,有丰富的设备使用、安装、调试经验,从专业角度为您提供专业服务。
成本优势
从技术方案到生产线运营管理,公司有完整的科学的成本管控方案,从多角度为客户打造最优方案。
2026-04-23 10:25:30
理论研究系统揭示了不同表面和终端条件下β-Ga2O3/金刚石异质结的界面性质。表明,通过选择不同的晶面组合,可以动态调节价带台阶近1 eV;而施加氢终端可进一步将价带台阶增大1.11-1.88 eV。
2026-04-23 10:27:17
团队采用低损伤 Si⁺离子注入结合退火工艺提升材料导电性,基于凹槽沟道结构制备了耗尽型(D-mode)与增强型(E-mode)β-Ga₂O₃ MOSFET。
2026-04-23 10:11:27
已成功制备出氟共掺杂硅基铒掺杂氧化镓发光器件。通过氟的共掺杂,器件的导电性与击穿场增强,使最大输入功率得以提升,输出强度增强至 5.6 µW/cm2。
2026-04-23 10:04:30
本文展示了一种基于 p 型金刚石/n 型 ε-Ga2O3 异质结二极管的自供电 SBPD。暗电流低至 23 fA,光暗电流比 (PDCR) 高达 106 以上,响应度达 384 mA/W...
.png)
.png)
.png)
.jpg)
.jpg)
.jpg)