万德思诺集团秉持"技领先端,镓通天下"的理念,始终坚持为宽禁带半导体行业客户提供国际上最先端的材料、装备和技术工艺。
作为国内最早布局和销售第四代半导体(氧化镓)相关材料和装备的企业,通过持续整合行业技术及资源,为客户提供"材料+装备+工艺"的整体解决方案。
公司通过技术引进与自主研发相结合,深度合作国内顶尖高校、科研院所的产研资源,联合行业龙头企业协同攻坚,精准打通产业化关键节点,构建氧化镓产业化生态,全力推动氧化镓材料从实验室走向规模化应用。
产研协同
联合顶尖科研与产业力量,深耕核心技术突破
垂直专精
垂直聚焦氧化镓行业,打造产业化生态闭环
技术引领
国内率先布局第四代半导体(氧化镓)领域,掌握国际尖端技术资源
全维赋能
提供“材料+装备+工艺”整体解决方案,全周期专业保障
日本NCT开发第四代功率半导体氧化镓缺陷三维成像技术:实现无损、高速缺陷检测,加速晶体与功率器件高质量化
Novel Crystal Technology与日本精细陶瓷中心开展联合研究,通过采用一种光学显微镜——相位差显微镜(注5),验证了其能够实现β-Ga₂O₃晶体内部缺陷的三维可视化。
2026-07-13 12:04:49
西安电子科技大学马晓华教授团队:β‑Ga₂O₃ 笼式集成倾斜 Fin MOSFET 的电热性能改进
该团队提出一种 β-Ga₂O₃ 笼式集成倾斜 Fin MOSFET(C-SFMOSFET),通过优化笼条与鳍条、笼条与漏极的距离,使笼条结构同步增强沟道耗尽并提升栅漏区散热能力。
2026-07-10 14:16:22
IEEE EDL| 西安电子科技大学郝跃院士、韩根全教授团队:NiO/Ga₂O₃超结紫外探测器在响应速度与灵敏度协同优化方面取得进展
本文展示了横向 NiO/Ga₂O₃ 超结 pn 光电探测器,可同时实现高响应度与快响应。
2026-07-10 13:42:17
西电郝跃院士、马晓华教授、李园副教授等人团队:一种基于沟槽侧壁界面质量优化策略的电热协同设计Ga₂O₃[100]沟槽型功率二极管
本研究首次提出基于铁电介质优化沟槽侧壁界面质量的电热协同设计的 Ga₂O₃[100] 沟槽二极管,与 Ga₂O₃[010] 沟槽二极管相比,表现出更优的热电性能。
2026-07-10 10:55:15
同心七载,未来可期 —— 万德思诺集团举办七周年司庆活动
5月17日,万德思诺集团举行七周年司庆活动,全体员工共同庆祝集团七年来的发展与成就,回顾奋斗历程,展望发展新篇。
2026-05-20 18:48:37聚焦第四代半导体·共筑产业新生态|万德思诺携NCT 6英寸氧化镓衬底亮相德阳半导体大会
2026年4月15日-17日,万德思诺携全球首发6英寸氧化镓衬底亮相德阳半导体新材料大会。
2026-04-28 19:57:29
APCSCRM 2025焦点:万德思诺集团以氧化镓材料定义下一代半导体格局
万德思诺集团携日本NCT自主研发的氧化镓系列产品亮相展会
2025-12-09 16:55:39
聚焦前沿,共话未来!万德思诺精彩亮相第五届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会
万德思诺国际贸易有限公司携手Novel Crystal Technology, Inc.积极参加第五届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会,并携前沿产品精彩亮相。
2025-12-09 17:01:48



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