万德思诺集团秉持"技领先端,镓通天下"的理念,始终坚持为宽禁带半导体行业客户提供国际上最先端的材料、装备和技术工艺。
作为国内最早布局和销售第四代半导体(氧化镓)相关材料和装备的企业,通过持续整合行业技术及资源,为客户提供"材料+装备+工艺"的整体解决方案。
公司通过技术引进与自主研发相结合,深度合作国内顶尖高校、科研院所的产研资源,联合行业龙头企业协同攻坚,精准打通产业化关键节点,构建氧化镓产业化生态,全力推动氧化镓材料从实验室走向规模化应用。
产研协同
联合顶尖科研与产业力量,深耕核心技术突破
垂直专精
垂直聚焦氧化镓行业,打造产业化生态闭环
技术引领
国内率先布局第四代半导体(氧化镓)领域,掌握国际尖端技术资源
全维赋能
提供“材料+装备+工艺”整体解决方案,全周期专业保障
站在破晓前等候黎明——亚洲氧化镓联盟专访日本NCT社长仓又朗人,听行业龙头领导人谈氧化镓产业化
IWGO访谈:Novel Crystal Technology 仓又朗人社长分享他对氧化镓技术发展、产业化进程与国际交流的观察。
2026-08-28 17:25:42
APL丨南京大学叶建东教授联合汕头大学团队:实现Ni合金化p型氧化镓突破,构建 2.4 kV 高耐压Ga₂O₃ p-n双极器件
结构、光学与输运表征共同证实,轨道杂化引起的价带顶上移降低跳跃激活能,激活 Ni 基受主,实现最高 10¹⁸ cm⁻³ 空穴浓度。
2026-08-06 14:40:48
ISPSD 2026丨复旦大学&西电等团队揭示辐射损伤机制!5 MeV质子辐照下β-Ga₂O₃肖特基二极管漏电退化机理研究
本研究首先探讨了高掺杂外延 β-Ga₂O₃ 肖特基二极管(SBD)在 5 MeV 质子辐照后的漏电流-温度相关性退化机制。
2026-08-06 14:29:59
NSR | 郑州大学单崇新教授、程少博教授联合北京大学高鹏教授等团队:镓辅助外延实现氧化镓/金刚石高质量异质集成,突破功率器件散热瓶颈
借助振动电子能量损失谱,本研究观测到能量约60 meV的全新界面声子模式,该模式可大幅提升金刚石与β-Ga₂O₃之间的声子输运效率。
2026-08-06 13:57:25
同心七载,未来可期 —— 万德思诺集团举办七周年司庆活动
5月17日,万德思诺集团举行七周年司庆活动,全体员工共同庆祝集团七年来的发展与成就,回顾奋斗历程,展望发展新篇。
2026-05-20 18:48:37聚焦第四代半导体·共筑产业新生态|万德思诺携NCT 6英寸氧化镓衬底亮相德阳半导体大会
2026年4月15日-17日,万德思诺携全球首发6英寸氧化镓衬底亮相德阳半导体新材料大会。
2026-04-28 19:57:29
APCSCRM 2025焦点:万德思诺集团以氧化镓材料定义下一代半导体格局
万德思诺集团携日本NCT自主研发的氧化镓系列产品亮相展会
2025-12-09 16:55:39
聚焦前沿,共话未来!万德思诺精彩亮相第五届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会
万德思诺国际贸易有限公司携手Novel Crystal Technology, Inc.积极参加第五届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会,并携前沿产品精彩亮相。
2025-12-09 17:01:48



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